APD硅雪崩光电二极管

产品特征：高速响应、高增益、低结电容、低噪声结构及功能介绍：硅雪崩光电二极管芯片结构为平面正照型，正面为N极，背面为P极，其基本功能为将光信号转换为电信号，并对光电流进行内部放大，230μm、500μm光敏面可选，陶瓷贴片封装，内置滤波片（905nm窄带）和白玻窗可选。应用领域：激光测距、激光传感、激光雷达。订货说明：可以按照用户的需求定制单颗芯片，1*2阵列、1*4阵列、1*8阵列、1*16阵列和1*32阵列，中心光敏面的间距都为1200μm。

注：

C1－滤波电容，主要滤除偏置工作电压 VR的噪声；

C2－旁路电容，主要是为交流信号提供对地回路；

R1－限流电阻，主要保护偏置工作电压 VR 过高时，损坏探测器；

Ri －取样电阻，将光电流转化为电压信号。注意事项：

a.静电对器件有伤害，使用中要人体、测试仪表、检验装置及工作台接地良好；b.电源需有稳压装置，且不可在开关电源过程中产生冲击电压损害器件；c.焊接时烙铁应接地良好，温度控制在260℃±5℃，时间不超过5秒；d.测试正向电压时要监控正向电流，不超过1000μA，否则会击穿器件而失效。